朱树生：每一次挽袖都为点亮生命火种

　　在9月8日开幕的第二十五届中国国际投资贸易洽谈会上，商务部、国家统计局和国家外汇管理局联合发布的《2024年度中国对外直接投资统计公报》显示，2024年我国对外直接投资净额为1922亿美元，比上年增长8.4%。

　　数据显示，我国企业投资规模继续位居世界前列。2024年中国对外直接投资占全球份额的11.9%，较上年提升0.5个百分点，连续13年列全球前三，连续9年占全球份额超过一成。

　　公报表明，我国企业境外投资分布广泛，年度经营状况良好。截至2024年底，我国3.4万家境内投资者共在全球190个国家和地区设立境外企业5.2万家，七成境外企业盈利或持平。对亚洲、拉丁美洲、欧洲和大洋洲的投资持续增长，对共建“一带一路”国家直接投资增长超两成。

　　投资领域多元。公报显示，2024年，我国对外直接投资涵盖了国民经济的18个行业门类，其中流向批发零售、租赁和商务服务、制造、金融、采矿五领域的投资均超过百亿美元，累计占比超过八成。

该研究聚焦于复杂网络中节点间存在多条等长最短路径（即路径多重性）的现象。此前，该团队在《PNASNexus》上发文指出，现实世界网络不仅是“小世界”，也存在“纠结世界”特征，但此现象的形成机制一直未被阐明。为探究其根源，研究团队创新性地引入了“相对路径多重性指数”，通过分析涵盖社会、生物、技术等领域的140个真实网络数据，并结合多种统计方法，发现社团数目与路径多重性之间存在显著正相关。进一步的靶向边重连实验证实，路径多重性的增加会使得社团结构更加明显，反之亦然。研究者将此机制阐释为“界面驱动效应”：社团间的连接构成了结构瓶颈，当最短路径需要穿越不同社团时，社团内部存在的多条等长路径段会在这些界面处产生组合效应，从而显著增加节点间的整体最短路径数量。

受此机制启发，研究团队进一步提出了“部落无标度网络模型”。该模型通过控制社团内部的无标度子网与社团间的连接方式，成功复现了真实网络中观测到的路径多重性分布特征，为模拟和理解具有高路径多重性的复杂系统提供了新工具。研究揭示的机制对通信网络设计、交通系统规划、脑科学及人工智能等领域具有重要参考价值，为相关应用提供了理论基础。

该论文由北京师范大学文理学院系统科学系邓烨副研究员为第一作者，吴俊教授为第一通讯作者，国防科技大学吕欣教授、北京航空航天大学李大庆教授为共同通讯作者。研究合作包括芬兰阿尔托大学、日本神户大学、香港城市大学、德国洪堡大学等多所国际知名机构。此项工作得到了国家自然科学基金、广东省自然科学基金、广东省重大人才工程及广东省高校创新团队等多个项目的资助。

中新社上海12月5日电 记者5日从上海证券交易所获悉，2025年1月到11月，沪市上市公司已合计实施分红派发总额1.81万亿元(人民币，下同)，同比增加2%。

具体来看，193家沪市公司2025年分红落地金额超过10亿元，28家公司年内实际派现金额超过百亿元，工商银行、中国移动、建设银行的派现金额超千亿元。科创板公司回报力度也在增加，164家公司派发现金分红金额实现同比增长。

与此同时，沪市2025年中期分红也在稳步增加。截至5日，沪市公司已有510家上市公司公布中期(一季报、半年报、三季报)分红方案，共宣布中期分红计划总额6441亿元，较2024年同期数5828亿元增加11%。其中，中国石油、贵州茅台、伊利股份等65家公司中期分红金额超10亿元。510家公司中，有320家系连续两年进行中期分红，占比超六成。

股息率方面，以2025年11月末的收盘价计算，沪市公司整体股息率为2.25%；28家公司股息率超过2.5%，思维列控、南山铝业等11家公司股息率超过4%。沪市已经形成了一大批稳定的高分红群体，从近三年数据来看，沪市342家公司连续三年分红比例(现金分红占公司归母净利润的比例)在40%以上，其中长江电力、福耀玻璃、宇通客车等199家公司的分红比例连续三年超过50%。

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本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。